为什么第三代半导体材料将主导2025年技术革新以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料，凭借其宽禁带特性、高热导率和耐高压能力，正在2025年成为新能源车、5G基站和智能电网的核心技术突破口。我们这篇文章将从材料特性、...

05-091宽禁带半导体碳化硅技术氮化镓应用功率器件革新中国芯片突围